# 现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德逝世，享年91岁

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2024年5月6日 · 11:50 · [在花新闻](https://www.zaihua.news/about/)

# 现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德逝世，享年91岁

罗伯特・登纳德，现代DRAM内存的发明者，于2024年4月23日去世，享年91岁。登纳德1932年出生于美国得克萨斯州，1958年在卡内基理工学院（现卡内基梅隆大学）获得电气工程博士学位后加入IBM。在1960年代，面对磁芯内存的局限性，登纳德提出了使用单个晶体管和电容器记录数据的DRAM概念，并与IBM在1968年获得DRAM专利。DRAM技术以其低成本、低功耗和简单结构，取代了磁芯内存，促进了计算机小型化和个人电脑的商业成功。登纳德还提出了登纳德缩放定律，该定律与摩尔定律、阿姆达尔定律并称半导体行业三大定律，对半导体行业产生了深远影响。

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