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韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

韩国《首尔经济》1月13日的报道援引韩国业内人士的话称,SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器(DRAM)生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息,SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。
来源:https://www.jiemian.com/article/10674396.html

Via 洛 天

投稿:@TNSubmbot
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