英特尔18A工艺揭秘：超越Intel 3，媲美N2
英特尔在VLSI Symposium 2025上公布了备受期待的18A工艺细节。得益于PowerVia背面供电和BSPDN技术，其晶体管密度较Intel 3提升超过30%，同时在标准Arm核心上实现了25%的速度提升和36%的功耗降低，供电稳定性也得到改善。
此外，18A工艺通过背面供电释放了正面布线空间，提升了面积利用率和设计密度。其SRAM密度已达到与台积电N2工艺相当的水平。首批采用该工艺的产品将是Panther Lake处理器和Clearwater Forest至强CPU，代工客户产品最早可能于2026年面市。
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