英特尔与软银携手研发新型AI内存芯片
美国英特尔与日本软银联合成立Saimemory，计划推出基于堆叠式DRAM的新一代芯片，替代现有的高带宽内存（HBM）。该项目预计于2027年完成原型并评估量产可行性，力争在本十年内实现商业化。新芯片采用创新的堆叠结构和高效布线设计，可将功耗减半，从而显著提升AI数据中心的能源效率。
目前，高端HBM芯片市场被三星、SK海力士和美光三家厂商所垄断，随着AI应用需求的不断增长，HBM供应显得尤为紧张。Saimemory此举不仅瞄准日本本土市场，也标志着日本时隔二十余年再次力图重返全球内存芯片领域。
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