沙特科研团队研制出41层堆叠芯片，突破摩尔定律极限
由 Xiaohang Li 领导的沙特阿卜杜拉国王科技大学研究团队近日研发出一种由41层半导体与绝缘层垂直堆叠的新型芯片，其电路密度较传统芯片提升约六倍，功耗大幅下降。
研究者表示，该设计通过低温工艺控制层间结构精度，使芯片可在塑料等柔性材料上制造，为可穿戴设备和柔性电子提供新方向。
该成果已发表于《自然·电子学》，被视为摩尔定律失效后芯片性能提升的新路径。
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由 Xiaohang Li 领导的沙特阿卜杜拉国王科技大学研究团队近日研发出一种由41层半导体与绝缘层垂直堆叠的新型芯片，其电路密度较传统芯片提升约六倍，功耗大幅下降。
研究者表示，该设计通过低温工艺控制层间结构精度，使芯片可在塑料等柔性材料上制造，为可穿戴设备和柔性电子提供新方向。
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