中国长鑫存储和长江存储扩大内存产能
在全球存储芯片供应趋紧背景下，中国存储芯片厂商长鑫存储和长江存储正加快扩大产能，计划在 2025 年至 2026 年期间显著提升 DRAM 和 NAND 闪存的产量，以满足国内市场需求。
报道称，相关扩产主要集中在成熟制程领域。尽管两家公司在设备和先进工艺方面仍面临出口管制限制，但通过提升产量和调整产品结构，正持续提高本土供应能力。
Telegram 评论区
96 条回复，可以前往 Telegram 继续讨论。
在全球存储芯片供应趋紧背景下，中国存储芯片厂商长鑫存储和长江存储正加快扩大产能，计划在 2025 年至 2026 年期间显著提升 DRAM 和 NAND 闪存的产量，以满足国内市场需求。
报道称，相关扩产主要集中在成熟制程领域。尽管两家公司在设备和先进工艺方面仍面临出口管制限制，但通过提升产量和调整产品结构，正持续提高本土供应能力。
Telegram 评论区
96 条回复，可以前往 Telegram 继续讨论。